摘要:參加研究生考試之前,考生們需要各種試題來提高自己的做題能力,所以各院校的研究生考試歷年真題在同學(xué)們的備考中具有不可或缺的作用,因此,為了幫助考生備考,希賽網(wǎng)整理了2021年西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程考研材料科學(xué)基礎(chǔ)科目真題,供考生參考。
2021年西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程考研材料科學(xué)基礎(chǔ)科目真題
一、選擇題(每小題3分,共60分)
1、鎂橄欖石[Mg2SiO4]是( )。
A:島狀結(jié)構(gòu)
B:層狀結(jié)構(gòu)
C:鏈狀結(jié)構(gòu)
D:架狀結(jié)構(gòu)
2、離子晶體中,由于離子的極化作用,通常使正負(fù)離子問的距離( ), 離子配位數(shù)( )。
A:增大,降低
B:減小,降低
C:減小,增大
D:增大,增大
3、某一晶面在a、b、c三個(gè)結(jié)晶軸上的截距分別為2a、2b、c,該晶面的晶面指數(shù)為( )。
A: [211]
B:(211)
C:[12]
D:(112)
4、當(dāng)N個(gè)等大的球體作面心立方堆積時(shí),形成的八面體空隙個(gè)數(shù)為()。
A:N
B: 2N
C: 3N
D: 4N
5、TIO2 是還原氣氛下燒結(jié)時(shí)形成常見的( ) 的半導(dǎo)體材料,其燒結(jié)體色澤隨著氣氛中氧氣分壓的降低而( )。
A:陽離子空位型、加深
B:陰離子空位型、變淺
C:陰離子空位型、加深
D:陰離子填隙型、變淺
以上是部分真題,完整真題請(qǐng)下載文末附件查看。
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