摘要:參加研究生考試之前,考生們需要各種試題來提高自己的做題能力,所以各院校的研究生考試歷年真題在同學們的備考中具有不可或缺的作用,因此,為了幫助考生備考,希賽網整理了2020年中國科學院大學材料物理與化學考研半導體物理科目真題,供考生參考。
2020年中國科學院大學材料物理與化學考研半導體物理科目真題
一、(共 50 分,每題 5 分)解釋下列名詞或概念
1. 等同的能谷間散射___________________________________
2. 雜質電離能___________________________________
3. 理想 MIS 結構的平帶狀態(tài)___________________________________
4. 準費米能級___________________________________
5. pn 結擴散電容___________________________________
6. 價帶的有效狀態(tài)密度___________________________________
7. 表面復合速度___________________________________
8. 自由載流子吸收___________________________________
9. 費米分布函數(shù)___________________________________
10. 半導體的湯姆遜效應___________________________________
二、(共 20 分,每題 10 分)簡答題
1. 簡述理想 MIS 結構的高頻 C-V 特性(以 p 型半導體為例)。
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2. 1963 年,Gunn 發(fā)現(xiàn),給 n 型 GaAs 兩端電極加以電壓使得 GaAs 內電場超過3×103V/cm時,電流便會以很高的頻率振蕩,這個效應稱為耿氏效應(Gunn effect)。1964 年 Koremer 指出,這與微分負阻理論一致。請結合 GaAs 的能帶結構,簡述 GaAs 在高場下出現(xiàn)負阻效應的原因。
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以上是部分真題,完整真題請下載文末附件查看。
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